ＮＥレポート〜ソニーが超高速ＲｅＲＡＭを開発 ＮＡＮＤフラッシュ代替を狙う
日経エレクトロニクス 第1051号 2011.3.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1051号（2011.3.7） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2181字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （525kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
ソニーが開発した４ＭビットＲｅＲＡＭのチップ写真 「Ｇビット級のＲｅＲＡＭ（抵抗変化型メモリ）の量産技術を２〜３年以内に確立したい」（ソニー コンスーマープロダクツ＆デバイスグループ 半導体事業本部 セミコンダクタテクノロジー開発部門 デバイス技術部 統括部長の長島直樹氏）─。 ソニーが，半導体ストレージ向けの新型メモリの開発に，本格的に乗りだした。ＮＡＮＤフラッシュ・メモリと比べて桁違いの性能を…
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