ＮＥレポート〜２８ｎｍ向けＤＲＡＭ混載技術 ルネサスが標準ＣＭＯＳで実現
日経エレクトロニクス 第1047号 2011.1.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1047号（2011.1.10） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1942字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （549kb） |
| 雑誌掲載位置 | 18〜19ページ目 |
ルネサス エレクトロニクスは，標準ＣＭＯＳプロセスに近い手法で論理ＬＳＩにＤＲＡＭを混載する技術を開発した（図１）。２８ｎｍ世代以降に向けたもので，同社がこの世代のＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）の生産をファウンドリー企業へ全面的に委託することに対応した。 ルネサスはこの技術により，ファウンドリー企業の標準ＣＭＯＳプロセス向けに外部ベンダーが開発したＩＰコアを，ＤＲＡＭとともにＳｏＣに…
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