ＮＥレポート〜グラフェンや量子ドットを活用 次世代デバイス，応物学会で続々
日経エレクトロニクス 第1040号 2010.10.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1040号（2010.10.4） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3720字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （785kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜14ページ目 |
大阪大学などが試作したダイヤモンドＳＢＤ ２０１０年９月１４〜１７日に長崎大学で開催された「２０１０年秋季 第７１回応用物理学会学術講演会」では，Ｓｉを基にした従来の回路技術の延長上にはない，斬新な回路素子の発表が相次いだ注１）。具体的には，（１）グラフェン†やカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）を活性層などに利用して超高速動作および大面積用途への適用を目指したトランジスタ，（２）低損失かつ高温動作が…
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