ＮＥレポート〜参入相次ぐＧａＮ系パワー素子，パナソニックやＮＥＣが本腰
日経エレクトロニクス 第1021号 2010.1.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1021号（2010.1.11） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2489字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （591kb） |
| 雑誌掲載位置 | 10〜11ページ目 |
次世代のパワー半導体として期待を集める，ＧａＮ系パワー素子の研究開発が盛り上がり始めた。既に富士通研究所，あるいは古河電気工業らのグループ，米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ社，サンケン電気などが研究開発に乗り出しているが，ここにきて新たに，ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスのグループ，そしてパナソニックが名乗りを上げた。両陣営は，ＧａＮ系パワー素子の研究開発成果を，２００９年１２月に…
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