ＮＥレポート〜ＧａＮ系パワー素子が実用化へ，コストはＳｉ並みに
日経エレクトロニクス 第1009号 2009.7.27
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1009号（2009.7.27） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2554字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （390kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
富士通研究所が開発したオン電圧が＋３ＶのＧａＮ系ＨＥＭＴ Ｓｉに続く次世代のパワー半導体として，ＳｉＣとともに期待を集めていたＧａＮ系パワー半導体素子（以下，ＧａＮ系パワー素子）。これまでは実用化の面でＳｉＣの後塵を拝していたが，ついに２０１１年から市場投入されることが明らかになった。富士通は，同社のサーバー機向け電源のスイッチング素子として，ＧａＮ系トランジスタを採用する予定だ。ＧａＮ系パワー素…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2554字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮＥレポート〜消えた「ソニーのＥ Ｉｎｋ買収」電子ペーパー産業の中心は台湾へ
ＮＥレポート〜方向や速さを自在に動かせる，カプセル内視鏡が登場
ＮＥレポート〜オールジャパンで２次電池を開発，ＮＥＤＯが２１０億円プロジェクト始動
ＮＥレポート〜パナソニックの“本格”ＰＮＤを分解，ナビゲーション性能にこだわる設計
クローズアップ モバイル〜韓国の携帯機器向け電池規制，拙速が招いた無用な騒動か
