解説３〜３次元セルが切り開くＴビットＮＡＮＤフラッシュ
日経エレクトロニクス 第1008号 2009.7.13
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1008号（2009.7.13） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全5553字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1449kb） |
| 雑誌掲載位置 | 69〜73ページ目 |
「現行のＮＡＮＤフラッシュ・メモリの微細化はどこまで続くのか」。この問い掛けに対して，ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの２大メーカーであるＳａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社，東芝はそろって「２Ｘｎｍ世代」と答えた。２００９年６月に開催された半導体製造／回路の国際会議「２００９ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」のランプ・セッションでのひとコマである。…
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