ＮＥレポート〜データ・センター向けのＳＳＤ，東大らが書き込み性能を２倍
日経エレクトロニクス 第1007号 2009.6.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1007号（2009.6.29） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2380字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （762kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
開発した不揮発性バッファ強誘電体ＮＡＮＤフラッシュ・メモリのセル構造 「データ・センターなどの企業用途のＳＳＤ（ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｄｒｉｖｅ）にはどのようなＮＡＮＤフラッシュ・メモリが必要か。こう考えて開発に取り組んだ。ＳＳＤのランダム書き込み速度を従来の２倍に高速化できる」（東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻・工学部 電気電子工学科 准教授の竹内健氏）。 東京大学は，産業技術総…
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