特集 覚醒するＳｉＣ〜ＭＯＳＦＥＴは２００９年に登場周辺技術の改善も急ピッチ
日経エレクトロニクス 第991号 2008.11.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第991号（2008.11.17） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全14832字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1651kb） |
| 雑誌掲載位置 | 58〜67ページ目 |
ＳｉＣ素子を求めるユーザーの声に応えるため，素子や基板の特性改善とコスト低減に向けた研究開発が加速している。ダイオードは１００Ａ以上の大電流化による用途拡大を，トランジスタは早期の量産化を目指す。待望されているＭＯＳＦＥＴはいよいよ２００９年に量産が始まりそうだ。ＳｉＣ素子のポテンシャルを十分に引き出すための周辺技術開発の取り組みも活発化してきた。２００℃に耐えられるパッケージやチップ接合技術，コ…
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