解説 学会〜スピン注入ＭＲＡＭが活況，クルマやケータイを狙う
日経エレクトロニクス 第967号 2007.12.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第967号（2007.12.17） |
|---|---|
| ページ数 | 7ページ （全8622字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （709kb） |
| 雑誌掲載位置 | 107〜113ページ目 |
磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリ「ＭＲＡＭ」の研究開発が活況を呈している。２００７年１１月に米国フロリダ州で開催された磁気記録の国際会議「５２ｎｄ Ａｎｎｕａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＭＭＭ）」では微細化に向き，ＤＲＡＭと同等の集積度を達成するための要素技術が相次いだ。話題をさらったのは，スピン注入と呼ばれる動作方式と，Ｈ…
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