特報〜ＮＡＮＤは２０ｎｍ世代を視野抵抗変化型メモリも続々
日経エレクトロニクス 第967号 2007.12.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第967号（2007.12.17） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1797字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （319kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
「今後解決しなければならない技術課題は多い。しかし，メモリ・セルの積層技術を導入することでＮＡＮＤフラッシュ・メモリは２０ｎｍ世代以降も高密度化を継続できる」（韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）。 ２００７年１２月１０日〜１２日にかけて米国ワシントンＤ．Ｃ．で開催された半導体製造技術の国際会議「２００７ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍ…
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