特報〜８段積層の高速ＤＲＡＭ　「放熱特性は問題なし」
日経エレクトロニクス　第966号　2007.12.3

　「多段積層した高速ＤＲＡＭの放熱特性は，世の中で考えられているほど悪くない。放熱面ではほぼ実用化のメドが付いた」（ＮＥＣエレクトロニクス）。　ＮＥＣエレクトロニクス，ＯＫＩ（沖電気工業），エルピーダメモリの３社によるチップ積層型の４ＧビットＤＲＡＭの開発が佳境を迎えている。３社が共同開発しているのは，８個の５１２ＭビットＤＲＡＭと１個の制御ＬＳＩを単一の半導体パッケージ内で積層したＬＳＩである。…