論文〜２Ｍビットのスピン注入方式不揮発性ＲＡＭを試作
日経エレクトロニクス 第959号 2007.8.27
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第959号（2007.8.27） |
|---|---|
| ページ数 | 14ページ （全18945字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2126kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97〜110ページ目 |
ＤＲＡＭ並みの高速性を備え，書き換え回数が事実上無制限，しかも電源を切っても情報が消えない─。機器設計者の常識を塗り替える「不揮発性の主記憶」に道を開く技術を日立製作所と東北大学が共同で開発した。磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリＭＲＡＭに，スピン注入磁化反転と呼ぶ新たな動作原理を持ち込んだ。これまでに実用化されているＭＲＡＭと異なり，回路の微細化に対応しやすいため，国内外のメモリ・メーカーの間…
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