特報〜ＧａＮは耐圧２００Ｖ以下から，ＳｉＣは１ｋＶ以上から利用
日経エレクトロニクス 第958号 2007.8.13
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第958号（2007.8.13） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1278字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （206kb） |
| 雑誌掲載位置 | 13ページ目 |
白物家電や産業機器，自動車などの電源回路やモータ駆動回路において，そろそろ「Ｓｉ材料の限界」が見えてきたといわれるパワー半導体。次世代材料としてＳｉＣやＧａＮが検討されているが，どちらが本命なのか絞り切れなかった。そんな状況の中，いずれの新材料も開発してきたロームが，今後のパワー半導体事業の方向性を明らかにした。「まず耐圧２００Ｖ以下からＧａＮを，１ｋＶ以上にＳｉＣを利用していきたい」（ローム …
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