Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜富士通，ポーラスｌｏｗ−ｋ採用の４５ｎｍ配線技術を開発
日経エレクトロニクス 第902号 2005.6.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第902号（2005.6.20） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全242字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （259kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46ページ目 |
富士通は比誘電率が２．２５と低いｌｏｗ−ｋ材料を用いて，４５ｎｍ世代の多層配線の試作に成功した。利用したのは内部に空孔を多数持つポーラス（多孔質）材料で，ＮＣＳ（ｎａｎｏ ｃｌｕｓｔｅｒｉｎｇ ｓｉｌｉｃａ）と呼ぶ。業界で初めて，４５ｎｍ世代向けに，多層配線の微細な部分の絶縁膜すべてにＮＣＳを適用したという。絶縁膜のすべてにＮＣＳを使うと配線の機械強度が不足する恐れがあるが，今回は平均的な空孔の…
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