Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＮＡＮＤとＮＯＲの利点有する 東芝のフラッシュ混載技術
日経エレクトロニクス 第896号 2005.3.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第896号（2005.3.28） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全379字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （306kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
東芝は，論理ＬＳＩ混載向けのフラッシュＥＥＰＲＯＭ技術「ＮＡＮＯ ＦＬＡＳＨ」を開発した。既存技術を用いた場合と比べて消費電力が約１／４と小さく，かつ書き換え時間も短い。ＮＡＮＯ ＦＬＡＳＨを混載した３２ビットＲＩＳＣ型マイコンをデジタル一眼レフ・カメラや携帯型のデジタル民生機器などに向けて商品化する。ＮＡＮＯ ＦＬＡＳＨの消費電力が小さいのは，従来の混載用ＮＯＲ型フラッシュでは不可欠だった，内…
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