Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＳＴ社，両面冷却のパワーＭＯＳＦＥＴ用 パッケージを米社からライセンス
日経エレクトロニクス 第896号 2005.3.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第896号（2005.3.28） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全241字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （306kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，米Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ社からパワーＭＯＳＦＥＴ向けパッケージ技術「ＰｏｌａｒＰＡＫ」のライセンス供与を受ける。ＰｏｌａｒＰＡＫは，放熱性を高めるために，パッケージの表裏両面に放熱経路を備える。既存の標準的なパワーＭＯＳＦＥＴ用パッケージである「ＳＯ−８」と比べると，同一の実装面積でも約２倍の電流値に対応可能という。ＰｏｌａｒＰＡＫの実装面積は約５ｍｍ×…
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