Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜フラッシュＥＥＰＲＯＭ 書き込み速度は１０Ｍバイト／秒
日経エレクトロニクス 第885号 2004.10.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第885号（2004.10.25） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全269字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （399kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57ページ目 |
ルネサス テクノロジは，動画像など大容量データの格納に向けて，書き込み速度が１０Ｍバイト／秒と高い４ＧビットのＡＧ−ＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ「Ｒ１ＦＶ０４Ｇ１３Ｒ」など２品種を発売した。９０ｎｍ世代の微細加工技術で製造する。電源電圧は＋２．７Ｖ〜＋３．６Ｖ。今回の４Ｇビット品を２個積層させた８Ｇビット品についても新型パッケージに封止して２００４年１２月に製品化する計画。ＴＥＬ（０３）５２０１…
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