Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜 ９０ｎｍルールのＡＳＩＣ 最大動作周波数は１．２ＧＨｚ １ゲート当たりの漏れ電流は２５ｐＡと小さい
日経エレクトロニクス 第854号 2003.8.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第854号（2003.8.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全944字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51ページ目 |
「我々の９０ｎｍルールのＣＭＯＳプロセスは，競合他社に比べて格段に高い歩留まりを達成できている。今までは自社の機器部門向けに適用してきたが，今後は外部の機器メーカー向けにも提供する」（富士通）。富士通は，携帯電話機やデジタル家電製品などの用途に向け，設計ルール９０ｎｍのセルベースＬＳＩ「ＣＳ１０１シリーズ」の受注を開始した。２００３年度に約１２社からの受注を見込むという。 １３０ｎｍルールで製造…
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