特集 ＭＲＡＭ、２５６Ｍへの確信〜＜２５６Ｍビットの実現技術＞ 電流削減と信頼性がカギ ＦｅＲＡＭも高密度化にメド
日経エレクトロニクス 第839号 2003.1.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第839号（2003.1.20） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全15368字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （358kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜97ページ目 |
現在ＤＲＡＭが利用されている主記憶を狙ったＭＲＡＭの開発が急ピッチで進んでいる。主記憶向けのＭＲＡＭは，２００４年の量産開始からわずか２年で容量を８倍に上げそうだ。２００５年〜２００６年には早くも９０ｎｍルールを使った２５６ＭビットＭＲＡＭの量産が始まる（図１，表１）。並行してＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭが圧倒的に強い小型メモリ・カードなどの外部記憶用途に向けたＭＲＡＭの開発も進んでいる（ｐ…
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