特集 ＭＲＡＭ、２５６Ｍへの確信〜＜限界を超えて＞ スピン注入やＲＲＡＭ登場 低コスト目指し原理変更
日経エレクトロニクス 第839号 2003.1.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第839号（2003.1.20） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全16557字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （282kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98〜105ページ目 |
単体ＤＲＡＭや単体のＮＯＲ型フラッシュＥＥＰＲＯＭを代替することを狙った新型の不揮発性メモリが相次いで提案された。動作原理を抜本変更した「スピン注入」方式と呼ばれる新型ＭＲＡＭ，ＴＭＲ膜の代わりにＣＭＲ膜を採用した「ＲＲＡＭ」などが５年後以降の実用化を目指してしのぎを削る。ＮＯＲ型フラッシュＥＥＰＲＯＭの代替に向けては相変化膜を記憶部に用いたＯＵＭの開発が急ピッチで進んでいる。いずれもＤＲＡＭやＮ…
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