Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＩＢＭはゲート長６ｎｍの トランジスタを試作
日経エレクトロニクス 第837号 2002.12.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第837号（2002.12.16） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全212字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （198kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
米ＩＢＭは，ゲート長６ｎｍのＳｉ製トランジスタを開発した。「６ｎｍというゲート長は，現在の最新技術で生産可能なトランジスタの１０分の１以下。実際に動作するトランジスタとしては世界最小」（同社）。イオン注入技術と波長２４８ｎｍの露光技術を駆使してＳＯＩ基板上にトランジスタを製造した。Ｓｉの厚さは４ｎｍから８ｎｍと薄い。同社は，厚さ４ｎｍ，ゲート長６ｎｍの実際に動作するＭＯＳＦＥＴも製造したという。…
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