Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜尻に火が付いたフラッシュ　４ビット／セルに向け大連合
日経エレクトロニクス　第829号　2002.8.26

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第829号（2002.8.26）
ページ数	1ページ　（全2160字）
形式	PDFファイル形式　（28kb）
雑誌掲載位置	35ページ目

　不揮発性メモリ関連の特許侵害で係争関係にあった米ＡＭＤ，Ｉｎｃ．および富士通のグループとイスラエルＳａｉｆｕｎ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　Ｌｔｄ．が和解した。和解に伴い，３社は特許のクロスライセンス契約を締結し，次世代のフラッシュＥＥＰＲＯＭを共同開発することで合意した（図１）。この一環として，ＡＭＤ社と富士通は，Ｓａｉｆｕｎ社に出資する。微細化の限界近づく　３社が和解に踏み切った背景には，…