Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＤＤＲ ＩＩ向けに１Ｇビット／秒を達成
日経エレクトロニクス 第825号 2002.7.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第825号（2002.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全459字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （114kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43ページ目 |
エルピーダメモリは，次世代ＤＲＡＭ仕様のＤＤＲ ＩＩインタフェース向けとして初めて１ピン当たり１Ｇビット／秒を達成する回路技術を開発した。５１２ＭビットのＤＤＲ ＩＩ対応シンクロナスＤＲＡＭに搭載して確認した。以下の２つの技術から成る。（１）プロセス，電圧，温度変動によるデータ出力のタイミングのバラつきを＋１．８Ｖの低電圧動作でも最小に抑えるため，高精度で低消費電力のクロック再生回路と，出力波形…
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