Ｓｅｌｅｃｔｅｄ　Ｓｈｏｒｔｓ〜富士通研がｈｉｇｈ−ｋ技術を開発，携帯機器の待ち受け時間を１００倍に
日経エレクトロニクス　第825号　2002.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第825号（2002.7.1）
ページ数	1ページ　（全214字）
形式	PDFファイル形式　（114kb）
雑誌掲載位置	42ページ目

　富士通研究所は，ゲート絶縁膜向けｈｉｇｈ−ｋ材料であるＨｆＯ２を用いたゲート長５５ｎｍのＭＯＳトランジスタを開発した。従来のＳｉＯ２を用いた場合に比べて，漏れ電流を２ケタ〜３ケタ以上低減できるため，待機時の消費電力の削減を図れる。携帯機器の待ち受け時間を最大で１００倍程度増すことが可能という。従来と同じ高温のＣＭＯＳプロセスと両立でき，かつ高精度の膜厚制御が可能なｈｉｇｈ−ｋ材料の形成技術を開発…