Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜松下電器産業の新型トランジスタ システムＬＳＩの消費電力を１／１０に
日経エレクトロニクス 第825号 2002.7.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第825号（2002.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全339字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （114kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43ページ目 |
松下電器産業は，＋０．５Ｖと低い電源電圧で動作するｎ型ＭＯＳトランジスタを開発した。システムＬＳＩの消費電力を１／１０に低減できるとする。次世代携帯電話機など，電池駆動する機器に搭載する論理ＬＳＩに向ける。実用化時期は未定。 低電圧駆動を実現するために，（１）電流を流す領域にｐ型ＳｉＧｅ層を設ける技術，（２）ＤＴＭＯＳ構造の２つの技術を導入した。これらによってしきい値電圧を＋０．１Ｖ〜＋０．２Ｖ…
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