Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜ＡＭＤ社は３ＴＨｚ超へ ２０１０年の前哨戦が始まる
日経エレクトロニクス 第812号 2002.1.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第812号（2002.1.7） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3153字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （43kb） |
| 雑誌掲載位置 | 35〜36ページ目 |
米ＡＭＤ，Ｉｎｃ．が世界最高速のＭＯＳトランジスタを開発し，ついに米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．を超えた。２００１年１２月の「２００１ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００１ ＩＥＤＭ）」でＡＭＤ社が発表した３．４ＴＨｚ動作のトランジスタがこれに当たる。これまでの最高記録は，２００１ ＩＥＤＭのわずか１週間前にＩｎｔｅｌ社が発表した２．６３ＴＨｚ動作のト…
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