技術速報〜NTT物性研,新構造の単電子輸送素子を開発 単電子トランジスタに比べ低コストで製造が可能に
日経エレクトロニクス 第793号 2001.4.9
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第793号(2001.4.9) |
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ページ数 | 1ページ (全545字) |
形式 | PDFファイル形式 (40kb) |
雑誌掲載位置 | 26ページ目 |
NTT物性科学基礎研究所は,新しい構造を採る単電子/単正孔の輸送素子を開発した。一つの正孔を,素子から130nm程度離れた別の素子に移動させて保持し,その動作を確認した。動作温度は25Kとまだ低く,輸送時間は10数秒かかるが,原理上は室温での高速輸送も可能という。電子や正孔を一つずつ高速に輸送できるデバイスが実用化すれば,LSIの消費電力を桁違いに小さくできる。「電子や正孔の移動経路を切り換える…
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