技術速報〜オランダＰｈｉｌｉｐｓ社，Ｑ値が２１のＲＦ向けバイポーラＣＭＯＳ技術を実用化 キャパシタに新材料を適用し，チップ面積を従来比で約３０％削減
日経エレクトロニクス 第793号 2001.4.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第793号（2001.4.9） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全608字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （40kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26ページ目 |
オランダＲｏｙａｌ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社の半導体部門であるＰｈｉｌｉｐｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ社は，Ｑ値が２１と高いインダクタを集積可能なＲＦ（無線）回路向けＳｉバイポーラＣＭＯＳ技術「ＱＵＢｉＣ４」を開発した。この技術を使ったＬＳＩの生産を２００１年第３四半期までに始める。設計ルールは０．２５ｎｍ。現在実用化されているバイポーラＣＭＯＳ技術のＱ値は１０〜１２が一般的…
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