技術速報〜無制限の書き換えが可能なＦｅＲＡＭを米Ｒａｍｔｒｏｎ社が開発 強誘電体材料，電極，成膜プロセスなどを改善
日経エレクトロニクス 第793号 2001.4.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第793号（2001.4.9） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全587字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （40kb） |
| 雑誌掲載位置 | 25ページ目 |
米Ｒａｍｔｒｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐ．は，書き換え可能回数がＳＲＡＭやＤＲＡＭに匹敵する強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）を初めて開発した。１０１６回以上の書き換え可能回数を保証する。従来のＦｅＲＡＭの書き換え回数は１０１０〜１０１２回が上限だった。今回開発したＦｅＲＡＭの容量は２５６Ｋビットである。電源電圧は＋３Ｖ単一。アクセス時間は７０ｎｓ，サイクル時間は１３０ｎｓと，携帯電話用…
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