技術速報〜積水化学など，ＬＳＩの製造コストを低減できる常圧プラズマＣＶＤ装置を開発 真空引き工程が不要で，成膜速度は従来比１０倍程度
日経エレクトロニクス 第785号 2000.12.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第785号（2000.12.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全556字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （29kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28ページ目 |
積水化学工業とケミトロニクスは共同で，真空チャンバが不要の常圧プラズマＣＶＤ装置を開発した。ＬＳＩの量産ラインに向けた装置は２００２年度から出荷を始める。開発した装置は，原料ガスの供給ノズル外でプラズマを発生させるのではなく，ノズル内にプラズマ発生用の平行平板を設け，ここでプラズマを発生させる。平行平板の間隔は５ｍｍ程度。ウエーハに対して垂直に配置する。そこに原料ガスを流し込むと，発生したプラズ…
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