新製品ニュース〜内部＋１．８Ｖ／＋１．５Ｖ動作の セルベースＬＳＩ
日経エレクトロニクス 第776号 2000.8.14
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第776号（2000.8.14） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全609字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （220kb） |
| 雑誌掲載位置 | 67ページ目 |
日立製作所は，内部回路が＋１．８Ｖ／＋１．５Ｖで動作するセルベースＬＳＩ「ＨＧ７６Ｃシリーズ」を発売した。設計ルールは０．１８ｎｍで，トランジスタのゲート長は０．１４ｎｍ。配線層はＷ１層，Ａｌ３〜５層。外部Ｉ／Ｏ回路は＋３．３Ｖ動作。 現行品と比べて，各種仕様が向上した。たとえば，動作周波数は１．５倍の６００ＭＨｚ，内部論理ゲート当たりの消費電力は１／２の０．０２ｎＷ／ＭＨｚ（＋１．５Ｖ動作時）…
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