技術速報〜米ＴＩ，ＳｉＧｅバイポーラ−ＣＭＯＳ技術を開発　　２．４ＧＨｚ帯携帯電話機に向けた低電力ＲＦ　ＬＳＩ実現へ
日経エレクトロニクス　第762号　2000.1.31

　米Ｔｅｘａｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　Ｉｎｃ．（ＴＩ社）は，ＳｉＧｅ技術とＣＭＯＳ技術を組み合わせたＲＦ　ＬＳＩの製造プロセスを開発した。いわゆるＳｉＧｅバイポーラ−ＣＭＯＳ製造技術である。実効エミッタ幅が０．２５ｎｍのＳｉＧｅ　バイポーラ技術と実効ゲート長が０．３５ｎｍのＣＭＯＳ技術を組み合わせた。　開発した製造技術は「２．４ＧＨｚ帯を使う携帯電話機向けＲＦ　ＩＣに最適化した。つまり遮断周波数…