技術速報〜ソニー，低誘電率の有機層間絶縁膜を使ったＣｕ配線技術を開発， 民生用ＬＳＩなどで０．１３ｎｍ世代から採用
日経エレクトロニクス 第745号 1999.6.14
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第745号（1999.6.14） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全556字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （41kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22ページ目 |
ソニーは，比誘電率が２．７５と低い有機層間絶縁膜を使ったＣｕ配線技術を開発，同技術をインバータ回路に適用することで遅延時間を２５％程度短くできることを確認した。同社は，最小線幅０．１３ｎｍのＣＭＯＳ技術を使ったＬＳＩからこの技術を適用していく計画。低消費電力を必要とする民生機器向けＬＳＩやグラフィック向けの高速ＬＳＩに導入する予定である。同材料を最小線幅０．１８ｎｍのＡｌ配線ＬＳＩで使う計画もあ…
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