新製品ニュース〜 −４．５Ｖ駆動時のオン抵抗が最大７ｍΩと低い ｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第742号 1999.5.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第742号（1999.5.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全545字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （234kb） |
| 雑誌掲載位置 | 62ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．はゲート−ソース間の電圧が−４．５Ｖでオン抵抗が最大７ｍΩと低いｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＩＲＦ７２１０」を発売した。オン抵抗の標準値は５ｍΩ。いずれもドレイン電流１６Ａにおける値。ゲート−ソース間電圧−２．５Ｖ，ドレイン電流１２Ａにおけるオン抵抗は標準７ｍΩ，最大１０ｍΩになる。 ソース−ドレイン間の耐圧は１２Ｖ，ゲート−ソー…
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