特集 アナログＬＳＩ〜イメージ・センサ １３０万画素で消費電力１００ｍＷのＣＣＤが登場
日経エレクトロニクス 第737号 1999.2.22
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第737号（1999.2.22） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3081字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （145kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138〜140ページ目 |
イメージ・センサ関連の発表は，ここ数年の傾向と同じくＭＯＳ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型固体撮像素子†に関するものが多い。全７件の発表のうち５件がＭＯＳ型で２件がＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）型である。 目を引いたのは，ＣＣＤ型固体撮像素子†の低消費電力技術である（表５−２）。ＮＥＣが発表した。このほかＣＣＤ型では，ソニーが高速撮像を可能にする技術…
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