特集 メモリＬＳＩ〜不揮発性メモリ 大容量フラッシュＥＥＰＲＯＭと強誘電体メモリに注目集まる
日経エレクトロニクス 第737号 1999.2.22
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第737号（1999.2.22） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1590字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （84kb） |
| 雑誌掲載位置 | 132〜133ページ目 |
不揮発性メモリのセッションには，強誘電体メモリが加わり「ＦＬＡＳＨ ＡＮＤ ＦＥＲＲＯ ＭＥＭＯＲＹ」と名を変えた。発表はすべてアジアの半導体メーカで，全８件中７件を日本メーカが占めた。 フラッシュＥＥＰＲＯＭで注目を集めたのは２５６Ｍビットの大容量品である（表４−３）。日立製作所と東芝は，２５６Ｍビットでチップ面積が１３０ｍｍ２程度とＤＲＡＭの集積度を超えるというフラッシュＥＥＰＲＯＭを報告し…
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