特集　メモリＬＳＩ〜高速ＳＲＡＭ　微細化で進む高速化，ソフト・エラー対策にも注目
日経エレクトロニクス　第737号　1999.2.22

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第737号（1999.2.22）
ページ数	2ページ　（全1511字）
形式	PDFファイル形式　（84kb）
雑誌掲載位置	131〜132ページ目

　ＳＲＡＭ関連では，クロック周波数やアクセス時間を指標として，高速化をねらった発表が中心だった（表４−２）。設計ルールも０．２ｎｍ程度まで進んだ。昨年は主に０．２５ｎｍだった。　また，ソフト・エラーの対策技術で発表があったことも今回の特徴だ。微細化によって，いままでのパッケージからのα線対策だけでなく宇宙線や中性子の影響を無視できなくなってきた。１．５４Ｇビット／秒／ピンのＳＲＡＭ　米Ｉｎｔｅｌ　…