技術速報〜松下電器も紫色半導体レーザの室温連続発振に成功， 集光時のビーム・スポット径は４４０ｎｍ
日経エレクトロニクス 第736号 1999.2.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第736号（1999.2.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全541字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （39kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22ページ目 |
松下電器産業は，ＧａＮ系材料を使った紫色半導体レーザの室温連続発振を達成した。しきい値電圧は１１．４Ｖ，しきい値電流は４４０ｍＡである。寿命などは明らかにしていない。同社は今後，次世代ＤＶＤ装置の光源に向け，雑音の抑制や長寿命化などの課題を解決していく計画だ。 発振波長は約４００ｎｍである。基板上にＭＯＣＶＤ法でＧａＮ単結晶膜を成長させる際，Ｎの欠落を減らす技術を開発することで活性層の発光効率を…
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