技術速報〜＋１．５Ｖ以下で駆動するゲート長０．１ｎｍのトランジスタ，　　１９９９年末の量産目指しＩＥＤＭで発表相次ぐ
日経エレクトロニクス　第734号　1999.1.11

　１９９８年１２月上旬に米国サンフランシスコで開催された１９９８　ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　ｍｅｅｔｉｎｇ（ｉｅｄｍ）では，０．１ｎｍ程度のゲート長をもつトランジスタの発表に注目が集まった。「各社本気で１９９９年末の量産を目指していると感じた。既存のＫｒＦエキシマ・レーザ光源と独自の付加技術で短ゲート露光を実現している点などが目をひいた」（国内技術者）という。これ…