技術速報〜日亜化学工業，ＧａＮ系半導体レーザ／発光ダイオード の製造に関する基本特許を取得
日経エレクトロニクス 第734号 1999.1.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第734号（1999.1.11） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全538字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （26kb） |
| 雑誌掲載位置 | 19ページ目 |
日亜化学工業は，ＧａＮを使う半導体レーザ／発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造に関する基本特許を取得したことを明らかにした。成立したのは１９９８年９月３日，特許番号は第２５４０７９１号。すでに米国と欧州でも成立している。 取得した特許は，青色の半導体レーザ／ＬＥＤを作製する際に不可欠なｐ型ＧａＮ膜の製造方法に関するもの。ｐ型ＧａＮ膜はＧａＮ膜にｐ型不純物をドープするだけでは形成できない。現在は，この膜…
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