技術速報〜強誘電体メモリの低コスト化をねらう新セル構造を　ＮＥＣが開発，Ａｌ配線層の上にキャパシタ素子を形成
日経エレクトロニクス　第733号　1999.1.4

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第733号（1999.1.4）
ページ数	1ページ　（全592字）
形式	PDFファイル形式　（28kb）
雑誌掲載位置	20ページ目

　ＮＥＣは，強誘電体メモリの低コスト化をねらって新しいメモリ・セル構造を開発した。（Ｋ．Ａｍａｎｕｍａほか，１９９８　ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　ｍｅｅｔｉｎｇ（ｉｅｄｍ），講演番号１３．５，Ｄｅｃ．１９９８）。強誘電体で作成するキャパシタ素子をＡｌ配線層の上に設ける構造である。従来はまずキャパシタ素子を形成し，その上にＡｌ配線層を積んだ。この構造では，配線層を形成…