技術速報〜三菱電機と松下電器産業，松下電子工業が，ＤＲＡＭ混載技術で技術提携， ２００１年度に１００ＭビットＤＲＡＭと数百万ゲートの集積を目指す
日経エレクトロニクス 第733号 1999.1.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第733号（1999.1.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全565字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 20ページ目 |
三菱電機と松下電器産業，松下電子工業は，ＤＲＡＭメモリと論理回路を１チップに集積する，いわゆるＤＲＡＭ混載技術について技術提携した。ＤＲＡＭを混載した論理ＬＳＩの製品化に必要な製造技術を共同で開発する。２００１年度に共同開発した０．１３ｎｍルールの製造技術を使って，１００ＭビットＤＲＡＭと数百万ゲートの論理回路を１チップに集積したＬＳＩの量産開始を目指す。ＬＳＩの開発・設計や量産，販売は独立して…
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