解説　不揮発性メモリ〜強誘電体メモリ，　ＩＣカードでようやく離陸へ
日経エレクトロニクス　第733号　1999.1.4

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第733号（1999.1.4）
ページ数	8ページ　（全7592字）
形式	PDFファイル形式　（93kb）
雑誌掲載位置	47〜54ページ目

高速書き換え，低消費電力，不揮発性で「夢のメモリ」といわれた強誘電体メモリ。今まではわずか数社しか供給していなかったこのメモリ市場に他の半導体メーカも本格的に参入を始める。１９９９年〜２０００年にかけて続々と製品出荷が始まる。主なターゲットは市場が見え始めた非接触ＩＣカード。まずはＥＥＰＲＯＭの置き換えをねらう。　１９９９年から，多くの半導体メーカが強誘電体メモリ†市場に参入を始める。これまではロ…