ニュース〜インテル、次世代技術による　ＳＲＡＭチップの開発に成功
日経パソコン　第448号　2004.1.5

米インテルは２００３年１１月２４日、次世代の半導体製造技術「６５ｎｍプロセス」によるＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）チップの開発に成功したと発表した。同技術を用いると、トランジスターのゲート長は３５ｎｍになり、より高速に動作する。また、「歪みシリコン」や「ｌｏｗ−ｋ絶縁材料による銅配線」といった最新技術を併用することで、さらなる高速化と低消費電力化を実現した。２０…