Ｋｅｙ　Ｐｅｒｓｏｎ　キー・パーソン〜ＴＳＶでＤＲＡＭ専業から脱する
日経マイクロデバイス　第293号　2009.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第293号（2009.11.1）
ページ数	3ページ　（全3200字）
形式	PDFファイル形式　（623kb）
雑誌掲載位置	10〜12ページ目

エルピーダメモリが，ＤＲＡＭ専業の事業モデルから脱しようとしている。そのための中核技術として，３次元積層デバイスの垂直配線を実現するＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を使う。既存の事業モデルを根本から変えて，独自技術で高付加価値化できる体制へと構造転換を目指す。同社における技術開発と新事業開拓を取り仕切る安達隆郎氏に聞いた。エルピーダメモリ　取締役　執行役員　　ＣＴＯ　Ｎｅｗ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｄｅｖｅｌ…