Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜“準静電界”で３次元積層メモリーを高密度化
日経マイクロデバイス　第293号　2009.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第293号（2009.11.1）
ページ数	1ページ　（全756字）
形式	PDFファイル形式　（224kb）
雑誌掲載位置	3ページ目

　３次元積層デバイスの飛躍的な高密度化を可能にする技術が登場した。かつてソニーが進めていた極秘プロジェクトの技術が基になっており，“準静電界”と呼ばれる電磁界の一種を利用する。ソニー出身で２００９年４月から東京大学で教鞭を取る滝口清昭氏（同大学　生産技術研究所　機械・生体系部門　特任准教授）が理論的裏付けを進め，ベンチャ企業のＱファクターが開発を進めている。準静電界による多重極子で電荷の有無を検出…