Ｉｎｓｉｄｅ ＭＥＭＳ〜メモリーからレンズまで積層 ＳＴが語る携帯カメラの将来
日経マイクロデバイス 第288号 2009.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第288号（2009.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全5120字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （933kb） |
| 雑誌掲載位置 | 35〜40ページ目 |
伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社が，ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）によって携帯電話機向けカメラ・モジュールを大幅に小型化する実装技術について明らかにした。２００８年からこうした製品をいち早く市場に投入してきた同社は，今後，ＴＳＶを携帯電話機向けカメラ・モジュールの全製品に適用していく。まずは画素数３０万のＶＧＡ型イメージ・センサーに搭載してＳｉインターポーザの役割を持たせた。今後は５００万画素な…
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