Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜東芝がナノインプリントの開発成果を披露１８ｎｍのパターン形成に成功
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1060字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （269kb） |
| 雑誌掲載位置 | 203ページ目 |
２年前からナノインプリント技術の開発を続けてきた東芝が，その成果を初めて明らかにした１），２）。１８ｎｍの孤立溝パターンの形成に成功するなど，先端プロセス開発向けのサンプル供給や基礎的なデバイス特性評価に有効だとの感触を得ているという（図１）。 ただし量産適用については，「現時点で当社のＬＳＩの量産スケジュールにナノインプリント技術を載せていない」（東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進セン…
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