Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーのトップ・シェアを目指す」東芝社長が新工場の竣工式で宣言
日経マイクロデバイス 第268号 2007.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第268号（2007.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全430字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （313kb） |
| 雑誌掲載位置 | 106ページ目 |
東芝と米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．は２００７年９月４日，三重県の四日市工場で３００ｍｍウエーハに対応したＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの新工場である第４製造棟「Ｆａｂ４」の竣工式を行った。東芝 代表執行役社長の西田厚聰氏は，「われわれは，ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの微細化，多値化技術で世界をリードしている。Ｆａｂ４の稼働により２００８年に東芝とＳａｎＤｉｓｋの生産を合わせた生産能力で世界トッ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全430字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒｅｐｏｒｔ［ＭＥＭＳ］〜東北大，リコーやトヨタなど１１社がＭＥＭＳの産学協同プロジェクト始動
Ｒｅｐｏｒｔ［ＥＤＡ］〜富士通，６５ｎｍ世代以降に向けて統計的タイミング解析の精度を向上
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜アルバック太陽電池の試作ラインを稼働海外メーカーの利用にも
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「２００９年度に１１００億円超」目指すＮＥＣエレがパワー半導体事業を加速海外市場も開拓
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜シャープ，太陽電池は２０１３年以降，薄膜Ｓｉが主流に
