Inside LSI 連載『メモリーの将来像を読む』●第1回〜連載『メモリーの将来像を読む』●第1回 東芝のNAND型フラッシュ事業の全貌21万枚/月の「Fab4」稼働で首位へ
日経マイクロデバイス 第268号 2007.10.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第268号(2007.10.1) |
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ページ数 | 9ページ (全10201字) |
形式 | PDFファイル形式 (1282kb) |
雑誌掲載位置 | 61〜69ページ目 |
「新工場の完成により,2008年の市場シェアで首位の道が開けた」。東芝のNAND型フラッシュ・メモリー事業の中核となる新300mmライン「Fab4」の竣工式で,東芝社長の西田厚聰氏はこのように述べた。同社はFab4による生産能力の増強と,微細化と多値化によるコスト競争力で,現在市場シェア首位の韓国Samsung Electronics Co., Ltd.を追い抜く意向である。本誌は,このようなメモ…
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